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2002 May 28 5
NXP Semiconductors
Product data sheet
High-speed switching diode BAS216
105
104
103
102
10
0
200
MSA563
100
I
R
(nA)
T ( C)j
o
75 V
25 V
V = 75 VR
Fig.5 Reverse current as a function of junction
temperature.
Dotted line: maximum values.
Solid lines: typical values.
handbook, halfpage0.6
0
0481216VR
(V)
0.4
0.2
0.5
MBH285
Cd
(pF)
Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj
= 25
°C.
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